采用双金属镶嵌工艺和压印光刻形成三维存储器阵列中的存储器线和通路的方法和装置

摘要

本发明提供采用多深度压印光刻掩模以及金属镶嵌工艺来形成三维存储器阵列的系统、装置和方法。描述了用于制造三维存储器中的存储器层的压印光刻掩模。该掩模包括：形成具有特征的半透明材料，该特征用于在金属镶嵌工艺中采用的转移材料中做出压印，该掩模具有多个压印深度。至少一个压印深度对应于用于形成存储器线的沟槽，且至少一个深度对应于用于形成通路的孔。还公开了许多其他方面。

主权项

一种三维存储器阵列中存储器层的形成方法，所示方法包括：形成具有多个深度的模板，其中至少一个深度对应于第一存储器线，且其中至少一个深度对应于通路；压印所述模板到形成在硬掩模层上的转移材料层中，该硬掩模层形成在电介质层上，该电介质层形成在布线层上；固化所述压印的转移材料层；以及同时蚀刻所述压印并固化的转移材料层和电介质层，采用所述压印并固化的转移材料层形成存储器层，压印所述模板到转移材料层中包括压印所述模板到所述转移材料层中，使得至少一个压印深度到达所述硬掩模层的区域。