导电膜及其制备设备及方法

摘要

本发明实施例公开了一种导电膜及其制备方法及设备，涉及真空镀膜技术领域，解决了现有技术中制备导电膜附着力较低和高频信号能量损耗较大的问题。本发明实施例在上载缓冲密封室内设有加热装置，用于对经过清洗和烘干后的基片进行真空状态下的加热除气；在离子束刻蚀密封室利用离子束对加热除气后的基片进行离子束刻蚀；在磁控溅射镀膜密封室内利用所述磁控溅射靶在经过离子束刻蚀后的基片上镀制活性原子金属层，并利用所述磁控溅射靶在基片上镀有活性原子金属层的区域镀制导电金属层。本发明实施例主要用于PCB的导电膜制备。

主权项

一种导电膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法采用的制备设备包括依次连接的上载缓冲密封室、离子束刻蚀密封室和磁控溅射镀膜密封室，并且在相邻两个密封室之间采用门阀进行密封隔离；所述制备设备还包括分别对密封室抽真空的真空泵系统；所述制备方法包括：对基片进行清洗和烘干；在上载缓冲密封室内对经过清洗和烘干后的基片进行真空状态下的除气；在离子束刻蚀密封室内对除气后的基片进行离子束刻蚀，以清洁和活化所述基片的表面；在磁控溅射镀膜密封室内利用磁控溅射靶在经过离子束刻蚀后的基片上镀制活性原子金属层；在磁控溅射镀膜密封室内利用磁控溅射靶在所述活性原子金属层上镀制导电金属层。