| 发明名称 | FinFET结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种FinFET结构及制造方法，采用呈三棱柱状的鳍形沟道区替代长方体状的鳍形沟道区，其凸出的两面形成相对的晶面晶向结构，减少载流子散射效应，提高电荷存储能力，受到栅极的控制时更容易构造出鳍形沟道区全耗尽结构，彻底切断沟道的导电通路，从而提高FinFET器件的驱动电流，适用于更小尺寸和更高驱动电流的FinFET器件的制造。 | ||
| 申请公布号 | CN103383961A | 申请公布日期 | 2013.11.06 |
| 申请号 | CN201210135267.2 | 申请日期 | 2012.05.03 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 赵猛 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种FinFET结构，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的源极和漏极；位于所述源极与漏极之间的呈三棱柱状的鳍形沟道区；以及围绕在所述鳍形沟道区的两侧及上方的栅极结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||