微机电器件的晶圆级真空封装方法

摘要

本发明提供了一种微机电器件的晶圆级真空封装方法，依次包括如下步骤：S1、准备封盖晶圆和器件晶圆，封盖晶圆为由正、反面硅层和中间二氧化硅层组成的绝缘硅；S2、分别在器件晶圆正面和封盖晶圆正面生长密封环；S3、在封盖晶圆正面的密封环上生长焊料；S4、以密封环为掩模，对封盖晶圆进行深硅刻蚀，形成凹槽；S5、在封盖晶圆正面生长吸气剂薄膜，其图形直接由生长时的掩模版获得；S6、用将键合设备先加热激活吸气剂薄膜，再将封盖晶圆与器件晶圆键合到一起；S7、在封盖晶圆的反面生长增透膜，图形直接由生长时的掩模版获得；S8、割片。本发明通过调整工艺次序，避免了后道工艺对前道工艺结果的影响，特别适用于红外器件的封装。

主权项

1.一种微机电器件的晶圆级真空封装方法，其特征在于，该方法依次包括如下步骤：S1、晶圆准备：准备封盖晶圆和已经制备好芯片的器件晶圆，其中该封盖晶圆为绝缘硅，该绝缘硅的结构包括正面硅层、二氧化硅中间层和反面硅层，其中反面硅层为可透红外光线的硅单晶层，双面抛光，晶向<100>；S2、分别在该器件晶圆正面和该封盖晶圆正面生长密封环；S3、在该封盖晶圆正面的密封环上生长一层焊料；S4、利用密封环为掩模，使用反应离子刻蚀工艺对封盖晶圆正面进行深硅刻蚀，刻蚀深度为将正面硅层刻蚀到底，到达二氧化硅中间层时自然截止，形成凹槽；S5、使用反应离子刻蚀技术对封盖晶圆上的二氧化硅中间层进行刻蚀，到达反面硅层时自然截止，曝露出反面硅层的硅晶面；S6、在该封盖晶圆正面用溅射或蒸发工艺生长吸气剂薄膜，其图形直接由生长时的掩模版获得；S7、使用晶圆键合设备，先通过加热激活吸气剂薄膜，再将器件晶圆和封盖晶圆键合在一起；S8、在该封盖晶圆反面用蒸发工艺生长增透膜，其图形直接由生长时的掩模版获得；S9、割片；其中，所述步骤S2中的密封环由内向外依次为：