一种金属栅极及MOS晶体管的形成方法

摘要

一种金属栅极及MOS晶体管的形成方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有牺牲氧化层、多晶硅栅极、氧化硅层和阻挡层，所述位于多晶硅栅极两侧氧化硅层侧面的阻挡层与氧化硅层构成侧墙；形成第一层间介质层；研磨第一层间介质层至露出阻挡层；去除侧墙及多晶硅栅极顶部的阻挡层，并去除预定厚度的侧墙中阻挡层；形成第二层间介质层；研磨第二层间介质层至露出多晶硅栅极；去除所述多晶硅栅极和牺牲氧化层，且使层间介质层和侧墙中氧化硅层表面与侧墙中阻挡层表面齐平；向沟槽内填充满金属层，形成金属栅极。本发明形成的半导体器件有效防止形成金属层后出现金属桥接、金属残留的问题，提高半导体器件的电性能和可靠性。

主权项

一种金属栅极及MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有牺牲氧化层和多晶硅栅极，所述多晶硅栅极两侧的半导体衬底上具有氧化硅层；在所述半导体衬底上形成阻挡层，所述阻挡层包围氧化硅层及多晶硅栅极，所述位于多晶硅栅极两侧氧化硅层侧面的阻挡层与氧化硅层构成侧墙；在阻挡层上形成覆盖侧墙及多晶硅栅极的第一层间介质层；对第一层间介质层进行研磨至露出阻挡层；去除侧墙及多晶硅栅极顶部的阻挡层，并去除预定厚度的侧墙中阻挡层，所述预定厚度与牺牲氧化层的厚度一致；在第一层间介质层上形成覆盖侧墙及多晶硅栅极第二层间介质层；研磨第二层间介质层至露出多晶硅栅极，使第二层间介质层表面与侧墙中氧化硅层及多晶硅栅极顶部齐平；去除所述多晶硅栅极，形成沟槽；去除沟槽内的牺牲氧化层，且使层间介质层和侧墙中氧化硅层表面与侧墙中阻挡层表面齐平；向沟槽内填充满金属层，形成金属栅极。