CMOS器件应力膜的形成方法

摘要

本发明提供的一种CMOS器件应力膜的形成方法，包括：提供半导体结构，其包括CMOS器件；在所述CMOS器件的表面形成具有拉伸应力的第一应力膜；采用光刻工艺，去除位于PMOS晶体管所在区域的第一应力膜；在所述PMOS晶体管以及第一应力膜的表面依次形成具有拉伸应力的第二应力膜以及硬掩模层；采用光刻工艺，去除位于PMOS晶体管所在区域的硬掩模层；以所述硬掩模层为掩模，刻蚀去除位于PMOS晶体管所在区域的第二应力膜。本发明改善了应力膜的均匀性，能够避免应力膜产生断裂或形成空洞的现象，并防止了硬掩模层被过消耗。

主权项

一种CMOS器件应力膜的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，其包括CMOS器件，所述CMOS器件包括NMOS晶体管与PMOS晶体管；在所述CMOS器件的表面形成具有拉伸应力的第一应力膜；采用光刻工艺，去除位于PMOS晶体管所在区域的第一应力膜；在所述PMOS晶体管以及第一应力膜的表面依次形成具有拉伸应力的第二应力膜以及硬掩模层；采用光刻工艺，去除位于PMOS晶体管所在区域的硬掩模层；以NMOS晶体管所在区域的所述硬掩模层为掩模，刻蚀去除位于PMOS晶体管所在区域的第二应力膜；在刻蚀第二应力膜后，还包括：在PMOS晶体管的表面以及硬掩模层的表面形成具有压缩应力的第三应力膜；采用光刻工艺，去除位于NMOS晶体管所在区域的第三应力膜的步骤。