| 发明名称 | 具有金属栅极的半导体结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种具有金属栅极的半导体结构及其制作方法。一种金属栅极制作工艺，其步骤包含提供一基底、在该基底上形成一牺牲栅极、在该牺牲栅极的至少一周围侧壁上形成一牺牲间隙壁、在该牺牲栅极两侧的该基底中分别形成一源极与一漏极、进行一替换金属栅极制作工艺，以金属栅极取代该牺牲栅极、移除该牺牲间隙壁、以及形成一低介电常数(low-K)间隙壁取代该牺牲间隙壁。 | ||
| 申请公布号 | CN103383918A | 申请公布日期 | 2013.11.06 |
| 申请号 | CN201210135979.4 | 申请日期 | 2012.05.04 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 刘安淇;林俊贤 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种鳍状场效晶体管制作工艺，其步骤包含：提供一基底；在该基底上形成至少一鳍状结构；在部分该鳍状结构上形成一牺牲栅极；在该牺牲栅极的至少一周围侧壁上形成一牺牲间隙壁；在该牺牲栅极两侧的该鳍状结构中分别形成一源极与一漏极；进行一替换金属栅极制作工艺，以金属栅极取代该牺牲栅极；移除该牺牲间隙壁；以及形成一低介电常数(low‑K)间隙壁取代该牺牲间隙壁。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||