发明名称 集成电路装置及其操作方法
摘要 本发明公开了一种集成电路装置及其操作方法。该集成电路装置包括半导体衬底、设置于衬底上包括NAND存储单元的第一存储方块、设置于衬底上包括NAND存储单元的第二存储方块。第一存储方块用以储存第一使用式样的数据,响应于第一操作算法以进行数据的读取、编程及擦除,第二存储方块用以储存第二使用式样的数据,响应于第二操作算法以进行数据的读取、编程及擦除。控制电路耦接至第一存储方块及第二存储方块,以执行第一操作算法以及第二操作算法,其中第一操作算法读取操作时的字线通过电压低于第二操作算法读取操作时的第二字线通过电压。
申请公布号 CN103383862A 申请公布日期 2013.11.06
申请号 CN201310145234.0 申请日期 2013.04.25
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 陈宗申;洪硕男;刘逸青;洪俊雄
分类号 G11C16/10(2006.01)I 主分类号 G11C16/10(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 任岩
主权项 一种集成电路装置,包括:一第一存储方块,包括多个存储单元,用以响应于一第一操作算法储存一第一使用式样的数据;一第二存储方块,包括另外多个存储单元,用以响应于一第二操作算法储存一第二使用式样的数据;以及一控制电路,耦接至该第一存储方块及该第二存储方块,以执行该第一操作算法以及该第二操作算法,其中该第一操作算法中施加的一字线通过电压低于该第二操作算法中施加的一第二字线通过电压。
地址 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号