发明名称 |
用于沉积材料的制造设备和其中使用的电极 |
摘要 |
本发明涉及一种用于在载体上沉积材料的制造设备和用于这种制造设备的电极。典型地,载体具有彼此隔开的第一端和第二端。插座设置在载体的每端处。这种制造设备包括限定了腔室的壳体。设置穿过壳体的至少一个电极,其中电极至少部分地设置于腔室内以便联接至插座。电极具有外表面,该外表面具有适于接触插座的接触区域。接触区域涂层设置在电极的外表面的接触区域上。接触区域涂层具有至少9x106姆欧/米的导电系数和在基于室温海水作为电解质的电位序中高于银的抗腐蚀性。 |
申请公布号 |
CN102047750B |
申请公布日期 |
2013.11.06 |
申请号 |
CN200980120110.9 |
申请日期 |
2009.04.13 |
申请人 |
赫姆洛克半导体公司 |
发明人 |
D·希拉布兰德;T·纳普 |
分类号 |
H05B3/03(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C01B33/035(2006.01)I |
主分类号 |
H05B3/03(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
王会卿 |
主权项 |
一种用于在载体上沉积材料的制造设备,所述载体具有彼此隔开的第一端和第二端,插座设置在载体的每端处,所述设备包括:限定了腔室的壳体;穿过所述壳体限定的入口,所述入口用于将气体引入腔室中;穿过所述壳体限定的出口,所述出口用于将气体从腔室排出;至少一个电极,所述电极包括具有第一端和第二端的轴,头部设置在所述轴的所述第一端和第二端之一上,所述电极具有外表面,该外表面具有适于接触插座的接触区域,所述电极穿过所述壳体设置,其中所述电极至少部分地设置在腔室内以便与插座联接;电源装置,所述电源装置联接至所述电极,用于向所述电极提供电流;以及,接触区域涂层,所述接触区域涂层设置在所述电极的所述接触区域上,用于保持所述电极与插座之间的热传导性,所述接触区域涂层具有至少9x106姆欧/米的导电系数和在基于室温海水作为电解质的电位序中高于银的抗腐蚀性,和外部涂层,所述外部涂层不同于所述接触区域涂层并在所述接触区域外侧设置于所述头部和所述轴中的至少一个上。 |
地址 |
美国密执安 |