| 发明名称 | 发光二极管的结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种发光二极管的结构，包括：外延基板、第一n型半导体层、n型三维电子云结构、第二n型半导体层、有源层及p型半导体层。其中第一n型半导体层位于外延基板之上，n型三维电子云结构位于第一n型半导体层上，第二n型半导体层位于n型三维电子云结构上，有源层位于第二n型半导体层上，第一p型半导体层则位于有源层上。 | ||
| 申请公布号 | CN101494262B | 申请公布日期 | 2013.11.06 |
| 申请号 | CN200810008563.X | 申请日期 | 2008.01.23 |
| 申请人 | 晶元光电股份有限公司 | 发明人 | 郭政达;许育宾;王俊凯;朱瑞溢;陈宗光 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种发光二极管的结构，包括：基板；第一n型氮化镓层，位于该基板之上；n型三维电子云结构，位于该第一n型氮化镓层上，该n型三维电子云结构包括宽能隙材料层以及窄能隙材料层，且该宽能隙材料层和该窄能隙材料层的至少其一掺杂有n型掺杂剂；第二n型氮化镓层，位于该n型三维电子云结构上；有源层，位于该第二n型氮化镓层上；以及第一p型半导体层，位于该有源层上，其中，所述n型三维电子云结构与所述第一n型氮化镓层包含不同的材料。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||