半导体装置及场效应晶体管

摘要

本发明关于鳍式场效应晶体管的隔离结构。本发明公开了一种半导体装置及场效应晶体管，该鳍式场效应晶体管包括含一主要表面的基材；多个鳍式结构，突出此基材的主要表面，其中每个鳍式结构均包含由一过渡位置所分离的上部及下部，此过渡位置位于鳍式结构的侧壁与基材主要表面夹角85度处，其中此上部具有与此基材主要表面实质上垂直的侧壁及具有第一宽度的顶面，此下部具有位于此上部的两侧锥形侧壁及具有第二宽度的底部，此第二宽度大于此第一宽度；及多个隔离结构位于此些鳍式结构之间，其中每个隔离结构均自此基材的此主要表面延伸至过渡位置上方的一点。本发明可用以形成或制造用于无隔离凹陷的鳍式场效应晶体管的鳍式结构。

主权项

一种半导体装置，包括：一基材，包含一主要表面；多个鳍式结构，突出该基材的该主要表面，其中每个鳍式结构均包含一借由一过渡位置所分离的一上部及一下部，该过渡位置位于该鳍式结构的侧壁与该基材的该主要表面夹角85度之处，其中该上部具有与该基材的该主要表面实质上垂直的侧壁及一具有第一宽度的顶面，其中该下部在该上部的两侧具有渐窄侧壁，且该下部具有一底部，其中该底部具有一第二宽度大于该第一宽度；以及多个隔离结构，位于所述多个鳍式结构之间，其中每个隔离结构均自该基材的该主要表面延伸至该过渡位置上方的一点。