| 发明名称 | 集成电路装置的共质心静电放电保护 | ||
| 摘要 | 一种保护实施于集成电路(IC)内的电路设计免受静电放电(ESD)的方法可包含将包括第一(245)和第二(250)装置阵列的装置阵列对(104和108)定位在所述IC上，以共享共用质心(130)，其中所述第一和第二装置阵列是匹配的。包括第一(220)和第二(225)ESD二极管阵列的ESD二极管阵列对(110)可邻近于包围所述第一和第二装置阵列的第一周边(115)而定位在所述IC上，其中所述第一和第二ESD二极管阵列共享所述共用质心且是匹配的。所述第一ESD二极管阵列的每一ESD二极管(220)的阴极端子可耦合到所述第一装置阵列(245)的输入，且所述第二ESD二极管阵列的每一ESD二极管(225)的阴极端子可耦合到所述第二装置阵列(250)的输入。 | ||
| 申请公布号 | CN102177583B | 申请公布日期 | 2013.11.06 |
| 申请号 | CN200980140477.7 | 申请日期 | 2009.07.13 |
| 申请人 | 吉林克斯公司 | 发明人 | 詹姆士·卡普 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 许静;姜精斌 |
| 主权项 | 一种用于保护实施于集成电路(IC)内的电路设计免于静电放电(ESD)的系统，其特征在于，所述系统包括：装置阵列对，其包括定位在所述IC上共享共用质心(130)的第一装置阵列(104、245)和第二装置阵列(108、250)，其中所述第一装置阵列和所述第二装置阵列是匹配的；以及ESD二极管阵列对，其包括邻近于包围所述装置阵列对的第一周边(115)且在所述第一周边(115)外部而定位在所述IC上的第一ESD二极管阵列和第二ESD二极管阵列，其中所述第一ESD二极管阵列和所述第二ESD二极管阵列共享所述共用质心且是匹配的，其中所述第一ESD二极管阵列的每一ESD二极管的阴极端子耦合到所述第一装置阵列的输入，且所述第二ESD二极管阵列的每一ESD二极管的阴极端子耦合到所述第二装置阵列的输入。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||