基于倏逝场耦合及周期微结构选频的混合硅单模激光器

摘要

一种基于倏逝场耦合及周期微结构选频混合硅单模激光器，包括：一硅衬底，该硅衬底为单晶硅材料；一二氧化硅层，该二氧化硅层制作在硅衬底之上；一硅波导层，该波导层制作在二氧化硅层之上，该波导层的纵向开有两条空气沟道，两条空气沟道之间为带有周期微结构的脊形条；一键合缓冲层，其制作在硅波导层上的中间，该键合缓冲层的宽度小于硅波导层的宽度，形成脊形条状，该键合缓冲层的两侧形成台面；两条状N型电极，制作在键合缓冲层两侧的台面上；一N型接触层，其制作在键合缓冲层之上；一量子阱有源区，其制作在N型接触层之上；一P型接触层，其制作在量子阱有源区之上；一P型盖层，其制作在P型接触层之上；一条状P型电极制作在P型盖层之上。

主权项

一种基于倏逝场耦合及周期微结构选频混合硅单模激光器，包括：一硅衬底，该硅衬底为单晶硅材料；一二氧化硅层，该二氧化硅层制作在硅衬底之上；一硅波导层，该波导层制作在二氧化硅层之上，该波导层的纵向开有两条空气沟道，两条空气沟道之间为带有周期微结构的脊形条，该脊形条的周期微结构，具有多种周期形式，每一单元为一字型、十字形或圆孔型；该周期微结构的特征尺寸大于1um；一键合缓冲层，其制作在硅波导层上的中间，该键合缓冲层的宽度小于硅波导层的宽度，形成脊形条状，该键合缓冲层的两侧形成台面；两条状N型电极，制作在键合缓冲层两侧的台面上；一N型接触层，其制作在键合缓冲层之上；一量子阱有源区，其制作在N型接触层之上；一P型接触层，其制作在量子阱有源区之上；一P型盖层，其制作在P型接触层之上；一条状P型电极制作在P型盖层之上。