| 发明名称 | 一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括衬底基板和位于衬底基板之上的多个薄膜晶体管单元，所述薄膜晶体管单元包括：位于衬底基板之上的第一栅极，位于所述第一栅极之上的栅极绝缘层，位于所述栅极绝缘层之上且与所述第一栅极位置相对的有源层，位于所述有源层之上的源极和漏极，所述源极和漏极之间设置有间隙，以及位于所述源极和漏极之上的感光树脂钝化层。对比于现有技术，本发明的阵列基板在制造过程中，省去了沟道保护层工序，大大简化了生产工艺，有效地降低了生产成本，同时提高了产品的良品率。 | ||
| 申请公布号 | CN103383945A | 申请公布日期 | 2013.11.06 |
| 申请号 | CN201310277079.8 | 申请日期 | 2013.07.03 |
| 申请人 | 北京京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 阎长江;张家祥;郭建;谢振宇;陈旭 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 张恺宁 |
| 主权项 | 一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板和位于所述衬底基板之上的多个薄膜晶体管单元，其中，所述薄膜晶体管单元包括：位于所述衬底基板之上的第一栅极，位于所述第一栅极之上的栅极绝缘层，位于所述栅极绝缘层之上且与所述第一栅极位置相对的有源层，位于所述有源层之上的源极和漏极，所述源极和漏极之间设置有间隙，以及位于所述源极和漏极之上的感光树脂钝化层。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区西环中路8号 | ||