| 发明名称 | 氮化物半导体发光元件和LED系统 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，其具有发光层，发光层包含主面为m面的InxGa1-xN阱层（0＜x≤1），InxGa1-xN阱层的In组成比x的深度方向分布（depth profile）具有多个峰，多个峰中的各个峰的In组成比x的值不同。 | ||
| 申请公布号 | CN103384922A | 申请公布日期 | 2013.11.06 |
| 申请号 | CN201280010530.3 | 申请日期 | 2012.09.12 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 井上彰;吉田俊治;横川俊哉 |
| 分类号 | H01L33/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种氮化物半导体发光元件，其具有发光层，该氮化物半导体发光元件的特征在于：所述发光层包含主面为m面的InxGa1‑xN阱层，其中0＜x≤1，所述InxGa1‑xN阱层中的In组成比x的深度方向分布具有多个峰，所述多个峰中的各个峰的所述In组成比x的值不同。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||