| 发明名称 | 高介电常数的钛酸钡/聚合物复合材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高介电常数的钛酸钡/聚合物复合材料及其制备方法；所述复合材料包括如下体积百分含量的各组分：单核1～60%，内壳3～30%，外壳20～80%，所述单核为钛酸钡陶瓷颗粒，所述内壳为具有高介电常数的聚酰胺，所述外壳为介电常数较低的聚甲基丙烯酸甲酯。本发明还涉及前述的复合材料的制备方法，本发明复合材料中的单核先用氨基硅烷作表面处理，引入有机官能团，然后依次分散到不同单体溶液中，得到核-壳-壳之间共价键连接结构的复合材料，所述复合材料具有高的介电常数，低的介电损耗，无机颗粒均匀分布的特征；本发明复合材料适用于制备嵌入式电容器、高储能电容、场发射三极管等先进电子电器设备。 | ||
| 申请公布号 | CN103382240A | 申请公布日期 | 2013.11.06 |
| 申请号 | CN201310295859.5 | 申请日期 | 2013.07.15 |
| 申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 谢礼源;江平开;黄兴溢;黄彦辉;杨科;吴新锋;吴超 |
| 分类号 | C08F293/00(2006.01)I;C08G83/00(2006.01)I | 主分类号 | C08F293/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人 | 牛山;陈少凌 |
| 主权项 | 一种高介电常数的钛酸钡/聚合物复合材料，其特征在于，所述复合材料包括如下体积百分含量的各组分：单核 1～60%，内壳 3～30%，外壳 20～80%，所述单核为钛酸钡陶瓷颗粒，所述内壳为相对介电常数为4～10的聚酰胺，所述外壳为相对介电常数为3～4的聚甲基丙烯酸甲酯。 | ||
| 地址 | 200240 上海市闵行区东川路800号 | ||