GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法

摘要

在GaN基半导体光器件(11a)中，衬底(13)的主面(13a)自与沿着第一GaN基半导体的c轴延伸的基准轴(Cx)正交的面起，以63度以上且小于80度的范围的倾斜角向该第一GaN基半导体的m轴方向倾斜。GaN基半导体外延区域(15)设置在主面(13a)上。在GaN基半导体外延区域(15)上，设有有源层(17)。有源层(17)含有至少一个半导体外延层(19)。半导体外延层(19)包含InGaN。半导体外延层(19)的膜厚方向相对于基准轴(Cx)倾斜。该基准轴(Cx)朝向第一GaN基半导体的[0001]轴的方向。由此，提供可抑制由有源层中的In偏析所引起的发光特性降低的GaN基半导体发光器件。

主权项

一种GaN基半导体光器件，其特征在于，包括： 衬底，其包含第一GaN基半导体，且具有主面，该主面自与沿着该第一GaN基半导体的c轴延伸的基准轴正交的面起，以70度以上且小于80度的范围的倾斜角向该第一GaN基半导体的m轴方向倾斜，所述衬底的所述主面沿与该主面的法线正交的第一及第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向不同； GaN基半导体外延区域，其设置在所述主面上；及 半导体外延层，其设置在所述GaN基半导体外延区域上，用于有源层，且 所述半导体外延层包含第二GaN基半导体，所述第二GaN基半导体含有铟，所述第二GaN基半导体的c轴相对于所述基准轴倾斜， 所述基准轴的朝向为所述第一GaN基半导体的[0001]轴及[000‑1]轴的任一方向。