| 发明名称 | 存储装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种存储装置及其制造方法，该存储装置包含：一台地状结构及一字元线。该台地状结构具两相对侧表面，且包含至少一对的源/漏极区及至少一沟道基部区，该至少一沟道基部区相对于该至少一对的源/漏极区。该字元线包含两线性段和至少一互连部。各线性段在该台地状结构上相应的该侧表面延伸，并邻近该沟道基部区。该至少一互连部穿过该台地状结构并连接该两线性段。本发明存储装置的多个字元线能适当地互相隔离以避免相互干扰。此外，字元线垂直方向设置，使得其宽度增加以降低其电阻，而不会被存储器单元的局限面积所限制。 | ||
| 申请公布号 | CN102468268B | 申请公布日期 | 2013.11.06 |
| 申请号 | CN201110168485.1 | 申请日期 | 2011.06.22 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 庄英政;徐秉诚;杨胜威;张明成;蔡鸿明 |
| 分类号 | H01L23/528(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/528(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张龙哺;冯志云 |
| 主权项 | 一种存储装置，包含：一台地状结构，具有两相对侧表面，且包含至少一对源/漏极区及至少一沟道基部区，该至少一沟道基部区相对于该至少一对源/漏极区；以及一字元线，包含两线性段及至少一互连部，其中各线性段在该台地状结构上相应的该侧表面延伸，并邻近该沟道基部区，且该互连部穿过该台地状结构并连接两线性段。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||