发明名称 |
一种高频低功率MOSFET的驱动及保护电路 |
摘要 |
本实用新型公开了一种高频低功率MOSFET的驱动及保护电路,特别涉及一种利用电荷泵原理来实现负压驱动和定时关断的MOSFET驱动及保护电路。该电路包括放电电路、充电电路、变压器T和MOSFET管Q,所述的放电电路由放电电阻Rd组成;所述的充电电路由隔直电容C、稳压二极管D和限流电阻Rs组成;所述的变压器T的原边非同名端连接MOSFET的漏极D;所述的MOSFET的源极S接地。微处理器PWM信号的输出点经限流电阻Rs和隔直电容C与MOSFET的栅极G相连。该电路结构简单、成本低廉,可以实现MOSFET的负压驱动以及定时关断,提高了驱动电路的抗干扰性,同时防止微处理器在出现故障时,变压器初级绕组长时间开通,有效避免了初级绕组电流过大引起器件损害。 |
申请公布号 |
CN203278782U |
申请公布日期 |
2013.11.06 |
申请号 |
CN201320157332.1 |
申请日期 |
2013.04.01 |
申请人 |
薛涛;王宇 |
发明人 |
王宇;郝申达;王彦琳;薛涛 |
分类号 |
H03K17/687(2006.01)I;H03K17/18(2006.01)I |
主分类号 |
H03K17/687(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种高频低功率MOSFET的驱动及保护电路,其特征在于,包括放电电路、充电电路、变压器T和MOSFET管Q,所述的充电电路包括限流电阻Rs、稳压二极管D和隔直电容C,限流电阻Rs接在隔直电容C的正极与微处理器PWM输出点的两端,隔直电容C的正极与限流电阻Rs相连,隔直电容C的负极与MOSFET管Q的栅极G相连,稳压二极管D的负极与隔直电容C的负极相连,稳压二极管D的正极与MOSFET管Q的源极S相连;所述的放电电路包括放电电阻Rd,放电电阻Rd接在隔直电容C的负极和MOSFET管Q源极S的两端;所述变压器T的原边非同名端接MOSFET管Q的漏极;所述MOSFET管Q的源极S接地。 |
地址 |
100081 北京市海淀区中关村南大街5号院北京理工大学机械与车辆学院11级硕士2班 |