一种无源超结沟槽MOS半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提出一种无源超结沟槽MOS半导体装置，通过沟槽内下部的无源第二传导类型半导体材料区，将超结结构引入到沟槽MOS结构中，本发明的一种无源超结沟槽MOS半导体装置是制造超级势垒整流器和功率MOSFET器件的基础结构，本发明还提出一种无源超结沟槽MOS半导体装置的制备方法。

主权项

一种无源超结沟槽MOS半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料；漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；体区，为第二传导类型的半导体材料，位于漂移层之上；多个沟槽，位于漂移层和体区中；多个无源第二传导类型半导体材料区，为条状第二传导类型的半导体材料，位于沟槽内下部内壁，并且不与体区相连；多个MOS结构，绝缘层位于沟槽内上部内壁表面，沟槽内填充有多晶半导体材料，并且多晶半导体材料不与无源第二传导类型半导体材料区相连，其之间为绝缘材料；多个源区，为第一传导类型的半导体材料，临靠沟槽和体区。