| 发明名称 | 控制背孔剖面形状的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种控制背孔剖面形状的方法。该方法包括：在底层材料上沉积金属薄膜；刻蚀去除底层材料上背孔位置沉积的金属薄膜；以底层材料上剩余的金属薄膜为掩膜对底层材料进行等离子刻蚀，通过逐步降低等离子刻蚀过程中制冷介质的流量来实现对背孔剖面形状的控制。利用本发明公开的方法，可以获得倾斜的背孔剖面，便于背孔内壁起镀层金属的完整覆盖，从而实现了背孔内镀层金的完整填充。 | ||
| 申请公布号 | CN102456610B | 申请公布日期 | 2013.11.06 |
| 申请号 | CN201010520271.1 | 申请日期 | 2010.10.20 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 魏珂;黄俊;刘果果;刘新宇 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 宋焰琴 |
| 主权项 | 一种控制背孔剖面形状的方法，其特征在于，包括：在底层材料上沉积金属薄膜；刻蚀去除所述底层材料上背孔位置沉积的金属薄膜；以所述底层材料上剩余的金属薄膜为掩膜对所述底层材料进行等离子刻蚀，通过逐步降低等离子刻蚀过程中制冷介质的流量来实现对所述背孔剖面形状的控制。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||