| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括一对布置在衬底上的线路图案。接触插塞布置在所述一对线路图案之间，并且空气间隙布置在所述接触插塞与所述线路图案之间。接合焊盘从所述接触插塞的顶端延伸以覆盖所述空气间隙的第一部分，并且绝缘层布置在所述空气间隙未被所述接合焊盘覆盖的第二部分上。 | ||
| 申请公布号 | CN103383935A | 申请公布日期 | 2013.11.06 |
| 申请号 | CN201310159593.1 | 申请日期 | 2013.05.03 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 崔炳德;徐廷宇;韩相然;郑铉雨;金弘来;黄有商 |
| 分类号 | H01L23/528(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/528(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 陈源;张帆 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：一对线路图案，其布置在衬底上；接触插塞，其布置在所述一对线路图案之间；空气间隙，其布置在所述接触插塞与所述线路图案之间；接合焊盘，其从所述接触插塞的顶端延伸以覆盖所述空气间隙的第一部分；以及绝缘层，其布置在所述空气间隙未被所述接合焊盘覆盖的第二部分上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||