| 发明名称 | 光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 | ||
| 摘要 | 提出一种具有半导体本体(2)和载体(7)的光电子半导体芯片(1)，在所述载体上设置半导体本体，其中半导体本体具有有源区域(20)，所述有源区域设置在第一导电类型的第一半导体层(21)和不同于第一导电类型的第二导电类型的第二半导体层(22)之间。第一半导体层设置在有源区域的朝向载体的一侧上。第一半导体层与设置在载体和半导体本体之间的第一连接层(31)导电地连接。在第一连接层和载体之间设置有封装层，所述封装层在半导体芯片的俯视图中至少局部地突出于对半导体本体限界的侧面(26)。此外，提出一种用于制造多个光电子半导体芯片的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103384923A | 申请公布日期 | 2013.11.06 |
| 申请号 | CN201280008879.3 | 申请日期 | 2012.02.07 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 卡尔·恩格尔;马库斯·毛特;斯特法尼·格拉梅尔斯贝格尔;安娜·卡什普扎克-扎布洛茨卡 |
| 分类号 | H01L33/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 张春水;田军锋 |
| 主权项 | 一种光电子半导体芯片(1)，具有半导体本体(2)和载体(7)，在所述载体上设置有所述半导体本体，其中‑所述半导体本体具有有源区域(20)，所述有源区域设置在第一导电类型的第一半导体层(21)和不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二半导体层(22)之间；‑所述第一半导体层设置在所述有源区域的朝向所述载体的一侧上；‑所述第一半导体层与设置在所述载体和所述半导体本体之间的第一连接层(31)导电地连接；‑在所述第一连接层和所述载体之间设置有封装层(6)；并且‑所述封装层在所述半导体芯片的俯视图中至少局部地突出于对所述半导体本体限界的侧面(26)。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||