制造半导体激光器的方法

摘要

本发明涉及制造半导体激光器的方法。该半导体激光器，其中，(λa-λw)＞(大于)15(nm)且Lt小于25(μm)，这里，“λw(nm)”是与设置在谐振器方向上的距一个端面的距离在2μm内的位置处的有源层的带隙相对应的光波长，“λa(nm)”是与设置在谐振器方向上的距一个端面间隔等于或大于(3/10)L且等于或小于(7/10)L的距离的位置处的有源层的带隙相对应的光波长，“L”是谐振器长度，并且“Lt”是在具有与λw+2(nm)的光波长相对应的带隙的有源层的位置和具有与λa-2(nm)的光波长相对应的带隙的有源层的位置之间设置的过渡区在谐振器方向上的长度。

主权项

一种制造半导体激光器的方法，包括：在衬底上形成有源层；以及将杂质扩散到靠近所述有源层的端面的区域中，以使所述有源层合金化，其中，所述的使所述有源层合金化包括：制备半导体层A和半导体层B；当所述半导体层A相对于所述杂质的固溶极限浓度为Ma且所述半导体层B相对于所述杂质的固溶极限浓度为Mb并且Ma>Mb时，在所述有源层上顺序形成所述半导体层B和所述半导体层A；在其中靠近所述端面的所述区域要被形成的区域与其中除了靠近所述端面的所述区域以外的区域要被形成的区域之间的所述半导体层A中形成沟槽；以及形成包括所述杂质的层以便仅与其中靠近所述端面的所述区域要被形成的所述区域中的所述半导体层A的表面进行接触或者仅将其中靠近所述端面的所述区域要被形成的所述区域中的所述半导体层A的表面暴露于包括所述杂质的气体，并且使所述杂质通过所述半导体层A和所述半导体层B扩散到其中靠近所述端面的所述区域要被形成的所述区域中的所述有源层中。