透明导电性膜、其制造方法及具备其的触摸面板

摘要

本发明提供透明导电性膜、其制造方法及具备其的触摸面板。所述透明导电性膜具有可以缩短结晶化时间的透明导电性薄膜。一种在透明的膜基材的至少一面具有由至少2层透明导电性薄膜形成的透明导电性薄膜层叠体的透明导电性膜，所述透明导电性薄膜均为氧化铟或含有4价金属元素的氧化物的铟系复合氧化物的结晶质膜，在所述透明导电性薄膜层叠体的表面侧具有氧化铟或4价金属元素的氧化物的比例超过0且为6重量％以下的第一透明导电性薄膜(21)，从所述透明导电性薄膜层叠体的表面侧开始继第一透明导电性薄膜之后具有4价金属元素的氧化物的比例比所述第一透明导电性薄膜(21)大的第二透明导电性薄膜(22)。

主权项

一种透明导电性膜，其特征在于，其为在透明的膜基材的至少一面具有由2层透明导电性薄膜形成的透明导电性薄膜层叠体的透明导电性膜，所述透明导电性薄膜层叠体的透明导电性薄膜均为氧化铟或含有4价金属元素的氧化物的铟系复合氧化物的结晶质膜，在所述透明导电性薄膜层叠体的表面侧具有氧化铟或以{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100(%)表示的4价金属元素的氧化物的比例超过0且为6重量%以下的铟系复合氧化物的第一透明导电性薄膜，从所述透明导电性薄膜层叠体的表面侧开始继第一透明导电性薄膜之后具有所述4价金属元素的氧化物的比例比所述第一透明导电性薄膜大的铟系复合氧化物的第二透明导电性薄膜，所述第二透明导电性薄膜的铟系复合氧化物中的4价金属元素的氧化物的比例为3～35重量%，所述第一透明导电性薄膜的氧化铟或铟系复合氧化物中的4价金属元素的氧化物的比例与所述第二透明导电性薄膜的铟系复合氧化物中的4价金属元素的氧化物的比例之差为3重量%以上，所述第一透明导电性薄膜的厚度为1～17nm，所述第二透明导电性薄膜的厚度为9～34nm，所述第一透明导电性薄膜的厚度比所述第二透明导电性薄膜的厚度小，所述第一透明导电性薄膜的厚度与所述第二透明导电性薄膜的厚度之差为1nm以上。