| 主权项 |
一种高深宽比超微钨电极阵列的制备方法，其特征在包括下述步骤：1）取n×2块的铜制夹板及直径为25‑300μm的钨丝用无水乙醇清洗，其中n=2‑10；所述的铜制夹板的尺寸为（10.00+XY）mm×10mm×2mm，其中X=0.15‑0.3mm，Y为0至9的自然数；2）利用线切割工艺在步骤1）所述的n×2块铜板的（10.00+XY）mm×10mm的平面中间对称加工出m个宽为35‑310μm、深度为40‑320μm的圆弧凹槽，相邻圆弧凹槽的间距为150‑300μm，其中m=2‑10；3）利用线切割工艺从2块15mm×10mm×2mm铜板的15.00mm边上依次加工出m个宽为35‑310μm、深度为6‑8mm的圆弧凹槽，相邻圆弧凹槽的间距为150‑300μm的正面挡板,其中m=2‑10；4）取40mm×10mm×10mm铜块，在铜块两端加工出12mm×10mm×5mm的平台，形成铜质底座；5）利用铣削和磨削工艺加工出2块40mm×20mm×2mm侧面挡板；6）将两个正面挡板、两个10mm×10mm×2mm铜制夹板和底座固定在一起；7）将m根钨丝分别穿过上述固定好的正面挡板，并将钨丝两端放置在铜制夹板的凹槽内，用热熔胶将其粘接固定在铜制夹板背面的凹槽内；8）将下一组的两个（10.00+XY）mm×10mm×2mm，的铜制夹板分别固定在2个10mm×10mm×2mm铜制夹板两侧，其中Y为1，然后重复步骤7）；9）重复步骤8），其中Y依次递增直至制备出m×n的钨丝阵列；10)将侧面挡板与底座紧固，从而与2块正面挡板形成一个型腔；11）在上述型腔中浇注环氧树脂（6）并使其固化，再对上述钨丝进行修剪；12）依次拆卸2块侧面挡板、n×2块铜制夹板、2块正面挡板和1块底座，得到高深宽比m×n的超微钨电极阵列。 |
