单结晶矽晶圆的精加工研磨方法及单结晶矽晶圆

摘要

本发明是提供一种单结晶矽晶圆的精加工研磨方法、及依照该方法精加工研磨而成之单结晶矽晶圆，该单结晶矽晶圆的精加工研磨方法，是针对使研磨浆体介于单结晶矽晶圆与研磨布之间，并对上述单结晶矽晶圆进行研磨之复数阶段的研磨制程之中，在最后阶段之精加工研磨制程，其中使研磨速度为10奈米/分钟以下来进行精加工研磨。藉此，可提供一种能够得到PID(抛光导入缺陷；Polishing Induced Defect)少的单结晶矽晶圆之精加工研磨方法、及依照该方法精加工研磨而成之单结晶矽晶圆。