发明名称 半导体记忆装置
摘要 一种半导体记忆装置,将两个A埠用传输电晶体彼此邻接地配置于位元格的一端,并且将两个B埠用传输电晶体彼此邻接地配置于位元格的另一端,藉由使这些A埠用传输电晶体共同拥有闸极电极来使A埠用位元线彼此邻接地配置,藉由使这些B埠用传输电晶体共同拥有闸极电极来使B埠用位元线彼此邻接地配置。
申请公布号 TWI414057 申请公布日期 2013.11.01
申请号 TW098113001 申请日期 2009.04.20
申请人 东芝股份有限公司 日本 发明人 小内俊之;田中豊
分类号 H01L27/11;G11C11/41 主分类号 H01L27/11
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项
地址 日本