半导体装置及其终端区结构

摘要

一种半导体装置之终端区结构，包含一半导体层；复数沟槽，形成于该半导体层之表面；一连结沟槽，形成于该半导体层之表面，用于连接该复数沟槽中相邻之二沟槽；一第一绝缘层，形成于该复数沟槽、该连结沟槽、及该半导体层之表面；导电材料，形成于该复数沟槽及该连结沟槽内；一第二绝缘层，覆盖该第一绝缘层之部分表面及该导电材料之部分表面；及一金属层，覆盖该第二绝缘层之部分表面。