功率金氧半场效电晶体结构及其制程方法

摘要

本发明系提供一种功率金氧半场效电晶体之结构及其制程方法，其在元件单一记忆单元的源极接点区加入一沟渠式电场屏护设计，可达到浅接面(shallow junction)低导通电阻，此外利用源极接点区下重掺杂区接面外观的改变而可保有较佳的雪崩崩溃能量，以提升元件雪崩崩溃能量的耐受度。