发明名称 |
多引线通孔之形成方法 |
摘要 |
一种多引线通孔之形成方法,包括提供一基材,至少具有一第一表面和一孔洞,孔洞具有孔壁;形成一第一导电层于基材之整个表面和孔壁上;形成一光阻层于第一导电层之整个表面上,且选择性地图案化光阻层,以在第一导电层上定义出多个侧向分离区域;以图案化光阻层为一遮罩,在该些侧向分离区域上电镀一第二导电层,且第二导电层之厚度实质上大于第一导电层之厚度;移除图案化光阻层;以及实质上地移除未被第二导电层覆盖之部分第一导电层因而形成多条在第一表面上延伸并通过孔洞的侧向分离之引线。 |
申请公布号 |
TWI414223 |
申请公布日期 |
2013.11.01 |
申请号 |
TW099101677 |
申请日期 |
2010.01.21 |
申请人 |
日月光半导体制造股份有限公司 高雄市楠梓加工区经三路26号 |
发明人 |
陈敏尧;庄茂樟;李明锦;王建皓 |
分类号 |
H05K3/42 |
主分类号 |
H05K3/42 |
代理机构 |
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代理人 |
祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2 |
主权项 |
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地址 |
高雄市楠梓加工区经三路26号 |