发明名称 研磨液
摘要 提供一种障壁层用研磨剂,其为使用固体磨粒的研磨液,用于研磨障壁金属材料的障壁CMP中,可达成障壁膜的优异研磨速度及抑制起因于磨粒的凝聚所致的刮痕。;一种用于研磨半导体积体电路的障壁层之研磨液,包含胶态矽石、具羧基的化合物、腐蚀抑制剂、及通式(I)或通式(II)所示的阳离子性化合物,且pH为2.5~5.0。下述通式(I)中,R1表示从碳数1~18的烃基所选出的同一取代基。通式(II)中,R2、R3各自独立地表示烃基,n表示1以上的整数。;通式(I) 通式(II)
申请公布号 TWI413679 申请公布日期 2013.11.01
申请号 TW096149674 申请日期 2007.12.24
申请人 富士软片股份有限公司 日本 发明人 上村哲也;斋江俊之
分类号 C09K3/14;H01L21/304 主分类号 C09K3/14
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项
地址 日本