一种闸氧化层的制造方法

摘要

本发明提供了一种闸氧化层的制造方法，包括以下步骤：在基底表面的垫层氧化层上沉积第一氮化物层；以该第一氮化物层作为硬遮罩层蚀刻该氮化物层和基底形成具有预定厚度的深沟槽；再沉积第二氮化物层；蚀刻去除深沟槽底部的第二氮化物层，而后在深沟槽底部形成底部氧化物层；蚀刻去除垫层氧化层上的氮化物层和沟槽内的氮化物层；在以上形成的结构上表面形成闸极氧化物层。采用本发明的方法制造闸氧化层可以使电晶体的沟槽底部的氧化层厚度增加，减少闸极充放电容，而不影响电晶体的其他电性参数。