| 摘要 |
<p>La présente invention concerne un dispositif (101) laser THz comportant une hétérostructure (102) sensiblement cylindrique comportant une première couche (107) en matériau semiconducteur optiquement non linéaire incluant des émetteurs (110, 111) émettant dans deux modes de galerie proche IR confinés dans la première couche (107) et permettant la génération au sein de la première couche (107) d'un rayonnement dans un mode de galerie électromagnétique THz généré par différence des fréquences des deux modes de galerie , la géométrie sensiblement cylindrique de l'hétérostructure assurant l'accord de phase entre les deux modes de galerie proche IR et le mode THz, une deuxième (108) et une troisième (106) couche en matériau semiconducteur présentant un indice optique plus faible que l'indice de la première couche (107) et une couche métallique (103, 104) située à une extrémité de l'hétérostructure (102). L'hétérostructure (102) est munie en son centre d'un trou (114) sensiblement cylindrique s'étendant sur toute la hauteur (h) de l'hétérostructure (102).</p> |
