| 摘要 |
Eine Halbleitervorrichtung umfasst: einen ersten Wärmeverteiler (3a–3c); einen zweiten Wärmeverteiler (3d–3f), der vom ersten Wärmeverteiler getrennt ist; ein erstes Halbleiterelement (1a–1c, 2a–2c) auf dem ersten Wärmeverteiler und mit einer Rückfläche, die mit dem ersten Wärmeverteiler verbunden ist; ein zweites Halbleiterelement (1d–1f, 2d–2f) auf dem zweiten Wärmeverteiler und mit einer Rückfläche, die mit dem zweiten Wärmeverteiler verbunden ist; ein Harz (8), das den ersten und den zweiten Wärmeverteiler und das erste und das zweite Halbleiterelement überzieht; und ein Verstärkungselement (9), das über einen Bereich zwischen dem ersten und dem zweiten Wärmeverteiler im Harz vorgesehen ist und eine Steifigkeit aufweist, die höher ist als die Steifigkeit des Harzes. |
