Es wird ein Schutz eines Gatedielektrikums durch eine Gatedielektrikumsschutzschaltung bereitgestellt, die mit einem gefährdeten Transistor verbunden ist. Die Schutzschaltung wird aktiviert, um die Spannung entlang des Gatedielektrikums unter dessen Durchbruchspannung zu verringern. Bei Auftreten eines ESD-Ereignisses wird die Schutzschaltung aktiviert. Die Schutzschaltung stellt eine Schutz- oder eine ESD-Vorspannung zum Verringern einer Spannungsdifferenz zwischen einem Gate des gefährdeten Transistors und einem Substrat unter die Durchbruchspannung des Gatedielektrikums bereit.
