Hochtemperaturtaugliches Multilayer-Kontaktsystem

摘要

Multilayer-Kontaktsystem für Halbleiterbauelemente, bei dem auf ein Sillizium-Karbid (SiC) Halbleitersubstrat a) zunächst eine Kontaktmetallisierung abgeschieden ist, b) auf die Kontaktmetallisierung eine Barriereschicht zur Verhinderung von Interdiffusionsvorgängen abgeschieden ist, c) auf die Barriereschicht eine Bondmetallisierung abgeschieden ist und die Bondmetallisierung mit einem Bondpad ausgeformt ist und d) eine Schutzmetallisierung aus einem Verbundmaterial aus Chrom und Edelmetall oder aus einer Chrom-Edelmetall-Legierung abgeschieden ist, wobei die Barriereschicht aus einem dreilagigen Schichtaufbau mit zwei äußeren Lagen Chrom und einer mittleren Lage aus Molybdän oder Wolfram (CrMoCr, CrWCr) besteht.