| 发明名称 | 多晶硅栅极的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种多晶硅栅极的形成方法，包括下列步骤：在晶圆上热氧化生长栅氧化层；在所述栅氧化层上淀积非掺杂多晶硅形成栅极层；对所述栅极层进行P型杂质的离子注入。本发明将传统的栅极材料由传统的掺杂多晶硅替换成非掺杂多晶硅搭配离子注入，多晶硅的晶粒尺寸显著减小。而晶粒尺寸减小后，在单个运算放大器中，对开启电压(Vt)的扰动降低，因此对运算放大器失配的影响大幅减小。由于主流的掺杂炉管(furnace)都可以实现非掺杂淀积，并且离子注入工艺没有技术难度，因此本发明通用性高、成本较低，且几乎不会增加整体的作业时间。 | ||
| 申请公布号 | CN103377901A | 申请公布日期 | 2013.10.30 |
| 申请号 | CN201210132736.5 | 申请日期 | 2012.04.28 |
| 申请人 | 无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 樊杨;肖莉;孟增 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 邓云鹏 |
| 主权项 | 一种多晶硅栅极的形成方法，包括下列步骤：在晶圆上热氧化生长栅氧化层；在所述栅氧化层上淀积非掺杂多晶硅形成栅极层；对所述栅极层进行P型杂质的离子注入。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 | ||