发明名称 | 形成埋入式导线的方法及埋入式导线的结构 | ||
摘要 | 本发明提供一种形成埋入式导线的方法及埋入式导线的结构。该方法首先提供其中有沟槽且上有接触区域的基底,该沟槽有一末端部分位于接触区域中,且该沟槽中填充有一导电层。接着形成罩幕层覆盖接触区域中的导电层,再以罩幕层为罩幕回蚀刻导电层。 | ||
申请公布号 | CN103377997A | 申请公布日期 | 2013.10.30 |
申请号 | CN201210447327.4 | 申请日期 | 2012.11.09 |
申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 维伟克·戈帕兰 |
分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 臧建明 |
主权项 | 一种形成埋入式导线的方法,其特征在于,包括:提供基底,该基底中有沟槽且上有接触区域,其中该沟槽有一末端部分位于该接触区域中,且该沟槽中填充有导电层;形成罩幕层覆盖该沟槽的该末端部分中的该导电层;以及以该罩幕层为罩幕回蚀刻该导电层。 | ||
地址 | 中国台湾桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |