低缺陷密度平坦基板的制造方法

摘要

本发明是有关于一种低缺陷密度平坦基板的制造方法，包括有下列步骤：提供一基板、进行选择性成长、进行侧向长晶、进行横向接合、进行高温退火及进行LED结构生长。本发明的制造方法是搭配调整不同浓度的添加剂，使纳米柱进行横向及纵向的成长，并接合成为一平坦接合薄膜的薄膜衬底，再经由进行高温退火消除晶粒边界后，在薄膜衬底上方生长可提高整体的光输出效率的LED单晶半导体结构。

主权项

一种低缺陷密度平坦基板的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一基板，该基板是做为后续薄膜成长的衬底，在该基板上成长一成长基层及一绝缘层，且对该绝缘层进行曝光、显影与干蚀刻工艺形成一选择性成长遮罩；进行选择性成长，其是将多个纳米柱垂直成长于该成长基层上；进行侧向长晶，其是该些纳米柱侧向成长；进行横向接合，其是该些纳米柱垂直及侧向成长且互相接合，并形成一接合薄膜；进行高温退火，其是系消除该接合薄膜的缺陷并整平该接合薄膜；以及进行LED结构生长，其是在该接合薄膜上生长LED单晶半导体结构。