使用独立介入片由熔化材料制作半导体本体

摘要

介入片可被用于制作例如用于太阳能电池用途的半导体本体，诸如硅。它是独立的、非常薄的、柔性的、多孔的并且能够经受住熔化的半导体的化学和热环境而不退化。它通常是陶瓷材料，例如硅石、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳化硅、氮碳化硅、碳氮氧化硅以及其它。它被提供在模片的成形表面和熔化材料之间，半导体本体将由所述熔化材料形成。它可被固定到成形表面或者被沉积在熔体上。所述介入片抑制颗粒成核，并且限制了来自所述熔体的热流。它促进了半导体本体与成形表面的分离。它可在其使用前被制作。因为独立并且未粘附到所述成形表面，CTE的失配问题被最小化。所述介入片和半导体本体独立于所述成形表面而相对地自由膨胀和收缩。

主权项

一种用于制作半导体本体的方法，所述方法包括以下步骤：a. 提供具有表面的熔化的半导体材料；b. 提供包括成形表面的多孔模；c. 在所述成形表面和熔化材料之间提供独立的陶瓷片；d. 将所述成形表面接触所述陶瓷片并且将所述陶瓷片接触所述熔化材料的表面达接触持续时间，使得半导体材料的本体在所述陶瓷片上固化；并且e. 将所固化的本体从与所述熔化的半导体材料的接触去除，同时仍然接触所述陶瓷片。