| 发明名称 | 一种多晶硅沟槽回刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种多晶硅沟槽回刻蚀方法，包括：在沟槽刻蚀后进行栅氧氧化生长和多晶硅生长；在多晶硅表面进行覆盖光阻，覆盖光阻的厚度大于沟槽上方多晶硅凹陷量；采用终点信号探测的方式进行光阻干法刻蚀，干法刻蚀采用气体其对多晶硅的选择比大于1；采用终点信号探测的方式进行多晶硅主刻蚀，且多晶硅对光阻的刻蚀率比值大于2；进行多晶硅回刻蚀。本发明利用沟槽上方多晶硅凹陷处光阻保护作用，在多晶硅主刻蚀后于沟槽上方形成多晶硅凸起，再采用回刻蚀将残余多晶硅的过量刻蚀。由于沟槽上方多晶硅是凸起的，所以能用更大的刻蚀量保证残余多晶硅的去除，最终沟槽内多晶硅的凹陷量能小于甚至没有凹陷，从而能大大改善半导体器件的电学性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103377904A | 申请公布日期 | 2013.10.30 |
| 申请号 | CN201210133336.6 | 申请日期 | 2012.04.28 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 冯大贵;吴长明 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种多晶硅沟槽回刻蚀方法，其特征是，包括：(1)在沟槽刻蚀后进行栅氧氧化生长和多晶硅生长；(2)在多晶硅表面进行覆盖光阻，覆盖光阻的厚度大于沟槽上方多晶硅凹陷量；(3)采用终点信号探测的方式进行光阻干法刻蚀，干法刻蚀采用气体为四氟化碳其对多晶硅的选择比大于1；(4)采用终点信号探测的方式进行多晶硅主刻蚀，且多晶硅对光阻的刻蚀率比值大于2；(5)进行多晶硅回刻蚀。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||