| 发明名称 | 一种高压静电保护结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高压静电保护结构，包括：第一低压PMOS，形成于硅衬底P型外延上的N型埋层中；一高压硅控整流器，形成在硅衬底的P型外延上，由形成于第一高压P阱中的N+扩散区和P+扩散区，以及形成于第一高压N阱中的N+扩散区和P+扩散区组成；第一低压PMOS和高压硅控整流器之间形成有第二高压P阱，第二高压P阱中的P+扩散区接地；第一低压PMOS的源栅短接并与其低压N阱中的N+扩散区和静电进入端相连；第一低压PMOS的漏极通过第一电阻与静电进入端相连；第一高压P阱中的N+扩散区和P+扩散区短接并与地相连，第一高压N阱中的N+扩散区和P+扩散区短接并与第一低压PMOS的漏极相连。本发明能应用于BCD工艺，能有效降低触发闩锁效应发生的高压静电保护结构。 | ||
| 申请公布号 | CN103378089A | 申请公布日期 | 2013.10.30 |
| 申请号 | CN201210133339.X | 申请日期 | 2012.04.28 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 苏庆;苗彬彬;王邦磷;邓樟鹏 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种高压静电保护结构，其特征是，包括：第一低压PMOS，形成于硅衬底P型外延上的N型埋层中；一高压硅控整流器，形成在硅衬底的P型外延上，由形成于第一高压P阱中的N+扩散区和P+扩散区，以及形成于第一高压N阱中的N+扩散区和P+扩散区组成；第一低压PMOS和高压硅控整流器之间形成有第二高压P阱，第二高压P阱中的P+扩散区接地；第一低压PMOS的源栅短接并与其低压N阱中的N+扩散区和静电进入端相连；第一低压PMOS的漏极通过第一电阻与静电进入端相连；第一高压P阱中的N+扩散区和P+扩散区短接并与地相连，第一高压N阱中的N+扩散区和P+扩散区短接并与第一低压PMOS的漏极相连。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||