发明名称 |
动态TDD小区中的上行功率控制方法 |
摘要 |
本发明提供了动态TDD小区中的上行信号功率控制方法,包括:UE在接入动态TDD小区后,接收eNB发送的针对冲突上行子帧的调整后的上行功率控制参数,包括冲突上行子帧与非冲突上行子帧的功率控制开环基本工作点之差,或者,冲突上行子帧上小区特定开环基本工作点参数和/或冲突上行子帧上UE特定开环基本工作点参数;UE根据调整后的上行功率控制参数计算冲突的上行子帧上PUSCH/PUCCH的上行发射功率。通过上述方式,由于UE接收的功率控制参数为针对冲突上行子帧进行调整后的参数,因此,能够更合理地进行PUSCH/PUCCH的上行发射功率控制,更准确的补偿冲突的上行子帧上收到的干扰和噪声影响。 |
申请公布号 |
CN103379604A |
申请公布日期 |
2013.10.30 |
申请号 |
CN201210119209.0 |
申请日期 |
2012.04.20 |
申请人 |
北京三星通信技术研究有限公司;三星电子株式会社 |
发明人 |
张世昌;孙程君;李迎阳 |
分类号 |
H04W52/14(2009.01)I |
主分类号 |
H04W52/14(2009.01)I |
代理机构 |
北京德琦知识产权代理有限公司 11018 |
代理人 |
王一斌;王琦 |
主权项 |
一种动态TDD小区中的上行功率控制方法,其特征在于,该方法包括:接入所述动态TDD小区的UE接收eNB发送的冲突的上行子帧PUSCH/PUCCH功率控制开环基本工作点与非冲突的上行子帧的PUSCH/PUCCH功率控制开环基本工作点之差ΔPUSCH/ΔPUCCH;其中,所述冲突的上行子帧PUSCH/PUCCH功率控制开环基本工作点为预先根据冲突的上行子帧的上行IoT、热噪声功率和上行目标SINR计算得到的;所述UE在计算所述冲突的上行子帧的PUSCH/PUCCH上行发射功率时,在计算得到的PUSCH/PUCCH功率控制开环基本工作点上加上所述开环基本工作点之差ΔPUSCH/ΔPUCCH,用于所述PUSCH/PUCCH的上行发射功率计算。 |
地址 |
100125 北京市朝阳区霞光里9号中电发展大厦12层 |