发明名称 |
三维结构的离子辅助等离子处理 |
摘要 |
控制等离子与等离子壳层之间的边界,以使得形状的一部分不平行于由面对等离子的工件的前表面所界定的平面。将等离子中的离子导向工件。这些离子可密封工件上的结构中的孔洞或者清洁工件上的结构中的材料。此结构可例如是具有多个侧壁。可进行清洁结构中的材料以及密封结构中的孔洞两者皆进行的工艺。 |
申请公布号 |
CN103380494A |
申请公布日期 |
2013.10.30 |
申请号 |
CN201280009549.6 |
申请日期 |
2012.02.22 |
申请人 |
瓦里安半导体设备公司 |
发明人 |
路斯·史丁;卢多维克·葛特;派崔克·M·马汀 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;C23C14/22(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
臧建明 |
主权项 |
一种工件处理的方法,包括:产生具有在所述工件表面附近的等离子壳层的等离子,其中所述工件界定出具有多个侧壁的结构;控制在所述等离子与所述等离子壳层之间的边界的形状,以使所述形状的一部分不平行于由面对所述等离子的所述工件的前表面所界定的平面;将在所述等离子中的离子导向所述工件;以及利用所述离子密封孔洞,所述孔洞在所述侧壁其中之一上。 |
地址 |
美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号 |