| 发明名称 | 具有阵列电熔丝的半导体集成电路及其驱动方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体集成电路及其驱动方法。半导体集成电路包括：正常熔丝单元阵列，其被编程具有正常熔丝数据；虚设熔丝单元阵列，其被编程具有验证熔丝数据；以及传感器，其被配置成从虚设熔丝单元阵列读取验证熔丝数据且从正常熔丝单元阵列读取正常熔丝数据，其中正常熔丝单元阵列被配置成根据虚设熔丝单元阵列的读取结果来被读取。 | ||
| 申请公布号 | CN103377711A | 申请公布日期 | 2013.10.30 |
| 申请号 | CN201210434064.3 | 申请日期 | 2012.11.02 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 吴相默;尹泰植 |
| 分类号 | G11C17/16(2006.01)I;G11C17/18(2006.01)I | 主分类号 | G11C17/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 石卓琼;俞波 |
| 主权项 | 一种半导体集成电路，包括：正常熔丝单元阵列，所述正常熔丝单元阵列被编程具有正常熔丝数据；虚设熔丝单元阵列，所述虚设熔丝单元阵列被编程具有验证熔丝数据；以及传感器，所述传感器被配置成从所述虚设熔丝单元阵列读取所述验证熔丝数据且从所述正常熔丝单元阵列读取所述正常熔丝数据，其中所述正常熔丝单元阵列被配置成根据所述虚设熔丝单元阵列的读取结果来被读取。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||