半导体装置的制造方法

摘要

本发明的半导体装置的制造方法，是具有使用化学放大型抗蚀剂在半导体用晶片上形成电路布线的电路形成工序，以及在形成前述电路布线后形成用于保护前述电路布线的固化膜的固化膜形成工序的半导体装置的制造方法，其特征在于，前述固化膜由含有具有聚苯并噁唑结构或聚苯并噁唑前驱体结构的碱可溶性树脂、通过光照射产生酸的物质和溶剂的感光性树脂组合物的固化物来构成，前述感光性树脂组合物中实质上不含有N-甲基-2-吡咯烷酮。根据本发明，能够提供一种半导体装置的制造方法，该方法在制造半导体装置时，能够抑制在使用化学放大型抗蚀剂在半导体晶片上形成电路时产生的T-顶现象的不良情况。

主权项

一种半导体装置的制造方法，具有使用化学放大型抗蚀剂在半导体用晶片上形成电路布线的电路形成工序以及在形成所述电路布线后形成用于保护所述电路布线的固化膜的固化膜形成工序，其特征在于，所述固化膜由含有聚苯并噁唑前驱体树脂、通过光照射产生酸的物质和溶剂的感光性树脂组合物的固化物来构成，所述感光性树脂组合物中所含有的N‑甲基‑2‑吡咯烷酮为0.1wt％以下，通过使二苯基醚‑4，4’‑二羧酸与1‑羟基苯并三唑在N‑甲基‑2‑吡咯烷酮溶剂中反应，得到二羧酸衍生物，接着，使所得到的二羧酸衍生物与六氟‑2，2‑双(3‑氨基‑4‑羟基苯基)丙烷在N‑甲基‑2‑吡咯烷酮以外的溶剂中反应，由此得到所述聚苯并噁唑前躯体树脂。