非易失性多级存储器单元

摘要

本发明包括用于操作非易失性多级存储器单元的方法、装置、模块和系统。一个方法实施例包括将第一数目的编程状态指派到耦合到行选择线的第一单元，所述第一单元可被编程到所述第一数目的编程状态。所述方法包括将第二数目的编程状态指派到耦合到所述行选择线的第二单元，所述第二单元可被编程到所述第二数目的编程状态，其中所述第二数目的编程状态大于所述第一数目的编程状态。所述方法包括在将所述第二单元编程到所述第二数目的编程状态中的一者之前，将所述第一单元编程到所述第一数目的编程状态中的一者。

主权项

一种用于操作非易失性多级存储器单元阵列的方法，所述方法包含：将第一数目的编程状态(334‑1、334‑2、334‑3)指派到耦合到行选择线(305)的第一单元(302)，所述第一单元(302)可被编程到所述第一数目的编程状态；将第二数目的编程状态(335‑1、335‑2、335‑3、335‑4)指派到耦合到所述行选择线(305)的第二单元(303)，所述第二单元(303)可被编程到所述第二数目的编程状态，其中所述第二数目的编程状态(335‑1、335‑2、335‑3、335‑4)大于所述第一数目的编程状态(334‑1、334‑2、334‑3)；将第三数目的编程状态(338‑1、338‑2)指派到耦合到所述行选择线(305)的第三单元(306)，所述第三单元(306)可被编程到所述第三数目的编程状态，其中所述第三数目的编程状态(338‑1、338‑2)大于所述第二数目的编程状态(335‑1、335‑2、335‑3、335‑4)；其中所述指派包括将对应于所述单元的非整数位指派的一定数目的编程状态指派(334‑1、338‑1)指派到所述第一单元(302)和所述第三单元(306)中的每一者；且在将所述第二单元(303)编程到所述第二数目的编程状态(335‑1、335‑2、335‑3、335‑4)中的一者之前，将所述第一单元(302)编程到所述第一数目的编程状态(334‑1、334‑2、334‑3)中的一者。