半导体元件与其形成方法

摘要

本发明提供一种具有区域性应力单元的半导体元件如PMOS元件或NMOS元件及其形成方法。首先，在栅极的相反两侧形成凹陷。之后沿着凹陷底部形成应力诱导区，再形成应力区于应力诱导区上。若应力诱导区的晶格结构大于应力区，将使沟道区具有拉伸应力并适用于NMOS元件。若应力诱导区的晶格结构小于应力区，将使沟道区具有压缩应力并适用于PMOS元件。本发明的实施例可适用于多种基板与半导体元件如平面晶体管及FinFET。

主权项

一种半导体元件，包括：一基板；一栅极位于该基板上；以及一源极/漏极区位于该栅极相反的两侧，该源极/漏极区包括一应力诱导区，与位于该应力诱导区上的一应力区，该应力区是一半导体材料，且该应力诱导区的材料不同于该基板与该应力区；其中，该半导体元件是一NMOS元件时，该应力诱导区的晶格结构大于该应力区的晶格结构；其中，该半导体元件是一PMOS元件时，该应力诱导区的晶格结构小于该应力区的晶格结构；以及，其中，该应力诱导区与该应力区的电性相反。