包括竖直立柱的存储器件及制造和操作该存储器件的方法

摘要

本发明提供一种包括竖直立柱的存储器件及制造和操作该存储器件的方法。在一种半导体器件及形成该器件的方法中，该半导体器件包括在水平方向延伸的由半导体材料制成的基板。在该基板上提供多个层间电介质层。提供多个栅极图案，每个栅极图案位于相邻的较低层间电介质层与相邻的较高层间电介质层之间。由半导体材料制成的竖直沟道在竖直方向延伸并穿过该多个层间电介质层和该多个栅极图案，位于每个栅极图案和竖直沟道间的栅极绝缘层使栅极图案与竖直沟道绝缘，竖直沟道在包括半导体区域的接触区接触基板。

主权项

一种半导体器件，包括：在水平方向上延伸的由半导体材料制成的基板；堆叠结构，包括交替且竖直地堆叠在所述基板上的多个栅极图案和绝缘图案；竖直沟道，由半导体材料制成且穿过所述堆叠结构以接触所述基板的上表面；以及栅绝缘层，在所述栅极图案与所述竖直沟道之间，所述栅绝缘层与所述基板的所述上表面接触，其中所述基板和所述竖直沟道由具有相同掺杂类型的半导体材料形成。